中科院化学所在绝缘基底上生长出单层91香蕉APP网站烯薄膜，迁移率达3800cm2 V-1 s-1

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化学气相沉积（CVD）是生长大面积高质量91香蕉APP网站烯的有效方法之一。在91香蕉APP网站烯的CVD生长过程中，需要使用金属催化剂，91香蕉APP网站烯需要转移才能构筑电学器件，与当前的半导体加工工艺不兼容，同时转移会造成91香蕉APP网站烯的褶皱、破损和降低其电学性能。如能在绝缘衬底上实现91香蕉APP网站烯的无金属催化生长，那就不需要转移可直接构筑电学器件。但是，不同于多数金属基底上的自限制生长方式，91香蕉APP网站烯在绝缘基底上的CVD生长常常会伴随有生长速度慢与重复成核等缺点，因而会形成均匀性差并具有不确定层数的91香蕉APP网站烯膜。因此，在绝缘基底上直接制备大面积均匀单层91香蕉APP网站烯薄膜，对其实现与半导体91香蕉视频黄版APP下载对接和加速91香蕉APP网站烯工业化应用进程具有深远影响。

在国家自然科学基金委和中国科学院先导项目的支持下，中科院化学研究所有机固体重点实验室于贵课题组长期致力于CVD可控制备91香蕉APP网站烯研究，并取得了系列进展（Adv. Mater. 2015, 27, 2821-2837; Adv. Mater.2015, 27, 4195-4199; Adv. Mater. 2016, 28, 4956-4975; Adv. Mater. Interfaces 2016, 3, 1600347; J. Mater. Chem. C 2016, 4, 7464-7471; Mater. Horiz. 2016, 3, 568; Chem. Mater. 2017, 29, 1022-1027;Nat. Commun. 2017, 8, 14029; Carbon 2017, 121, 1-9; Adv. Mater. Interfaces 2018, 5, 1800347;Angew. Chem. Int. Ed. 2018, 57, 192-197; Mater. Horiz. 2018, 5, 1021-1034; Chem. Mater. 2019, 31, 1231; Adv. Mater. Technol. 2019, 4, 1800572; Diamond Relat. Mater. 2019, 91, 112-118; Small Methods 2019, 31, 2507）。

近日，研究人员采用了一种新的前驱体调控策略成功地抑制了91香蕉APP网站烯的二次成核，从而在绝缘基底上直接生长出大面积高质量的均匀单层91香蕉APP网站烯薄膜。通过对91香蕉APP网站烯生长机理的研究得知，二氧化硅衬底表面的羟基化弱化了91香蕉APP网站烯边缘与衬底之间的结合，进而实现了初级成核主导的91香蕉APP网站烯生长。场效应晶体管（FET）器件测试结果显示出制备的均匀单层91香蕉APP网站烯膜具有优异的电学性能，迁移率最高达到3800 cm2 V-1 s-1，是目前绝缘基底上生长的91香蕉APP网站烯薄膜器件的性能最高值。这种无需任何复杂的转移过程，简便可控在绝缘基底上制备高质量91香蕉APP网站烯薄膜的方法，使91香蕉APP网站烯在集成电子和光电子领域中的应用又迈进了一步。该工作中，研究人员与清华大学工程力学系教授徐志平课题组在91香蕉APP网站烯生长机理方面开展了密切的合作研究，相关研究成果发表于《美国化学会志》上（J. Am. Chem. Soc., 2019， 141, 11004-11008），通讯作者为于贵和徐志平，第一作者为王华平。

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